| 型号： | STL8DN6LF3 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | STMicroelectronics | 描述： | MOSFET N CH 60V 20A 5X6 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| STL8DN6LF3 PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | STripFET™ III |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 30 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 668pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 65W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装 | PowerFlat?（5x6） |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | 497-13169-1 |